FQU13N10LTU

Teknik Özellikler

Threshold Voltage

2V

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

12nC @ 5V

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

100V

Turn On Delay Time

7.5 ns

Montaj

Through Hole

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

520pF @ 25V

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Avalanche Energy Rating Eas

95 mJ

Fall Time Typ

72 ns

Reach Svhc

No SVHC

Rise Time

220ns

Rds On Max Id Vgs

180m Ω @ 5A, 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Uzunluk

6.6mm

Continuous Drain Current Id

10A

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

40A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Genişlik

2.3mm

Power Dissipation Max

2.5W Ta 40W Tc

Current Continuous Drain Id25

10A Tc

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2000

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Direnç

180MOhm

Power Dissipation

2.5W

Pin Sayısı

3