FQU12N20TU

Teknik Özellikler

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

23nC @ 10V

Power Dissipation

2.5W

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2013

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Through Hole

Pin Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

910pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

200V

Turn On Delay Time

13 ns

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

9A

Current Continuous Drain Id25

9A Tc

Transistor Application

SWITCHING

Drainsource On Resistancemax

0.28Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation Max

2.5W Ta 55W Tc

Seri

QFET®

Vgs Max

±30V

Akım Değeri

9A

Turn Off Delay Time

30 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Weight

343.08mg

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

JESD-609 Kodu

e3

Rise Time

120ns

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Rds On Max Id Vgs

280m Ω @ 4.5A, 10V