FQU11P06TU

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2014

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Power Dissipation

2.5W

Recovery Time

83 ns

Power Dissipation Max

2.5W Ta 38W Tc

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

9.4A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Genişlik

2.3mm

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Weight

343.08mg

Turn Off Delay Time

15 ns

Akım Değeri

-9.4A

Seri

QFET®

Yükseklik

6.1mm

Element Configuration

Single

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Rated Dc

-60V

Turn On Delay Time

6.5 ns

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

550pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Montaj

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

P-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 10V

Threshold Voltage

-4V