FQT7N10LTF

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

4

Genişlik

3.56mm

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

1.7A Tc

Power Dissipation Max

2W Tc

Max Junction Temperature Tj

150°C

Power Dissipation

2W

Direnç

350mOhm

Yayın Yılı

2017

Pin Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

1.8mm

Element Configuration

Single

Case Connection

DRAIN

Seri

QFET®

Number Of Channels

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Weight

188mg

Turn Off Delay Time

17 ns

Akım Değeri

1.7A

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Threshold Voltage

2V

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

6nC @ 5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

290pF @ 25V

Montaj

Surface Mount