FQPF9N50CF

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

16.07mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fet Type

N-Channel

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

18 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Qualification Status

Not Qualified

Uzunluk

10.36mm

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

64 ns

Jedec95 Code

TO-220AB

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2012

Element Configuration

Single

Seri

FRFET®

Genişlik

4.9mm

Rds On Max Id Vgs

850m Ω @ 4.5A, 10V

Drain Currentmax Abs Id

9A

Continuous Drain Current Id

9A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

35nC @ 10V

Power Dissipation Max

44W Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

1030pF @ 25V

Pin Sayısı

3

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Direnç

850MOhm

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

44W