FQPF9N25C

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

9.19mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fet Type

N-Channel

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Montaj

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Turn On Delay Time

15 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

250V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Uzunluk

10.16mm

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Fall Time Typ

65 ns

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2004

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Akım Değeri

8.8A

Genişlik

4.7mm

Seri

QFET®

Rds On Max Id Vgs

430m Ω @ 4.4A, 10V

Continuous Drain Current Id

8.8A

Avalanche Energy Rating Eas

285 mJ

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

35nC @ 10V

Power Dissipation Max

38W Tc

Voltage Rated Dc

250V

Input Capacitance Ciss Max Vds

710pF @ 25V

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Direnç

430MOhm

Terminal Sayısı

3