FQPF5N50CYDTU

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2003

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

Akım Değeri

5A

Jedec95 Code

TO-220AB

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

48 ns

Genişlik

4.7mm

Seri

QFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Turn On Delay Time

12 ns

Uzunluk

10.16mm

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Yükseklik

15.87mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Vgs Max

±30V

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Ambalaj

Tube

Current Continuous Drain Id25

5A Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Rise Time

46ns

Case Connection

ISOLATED

Power Dissipation

38W