FQPF4N90C

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2003

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

Akım Değeri

4A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Parça Durumu

Active

Contact Plating

Tin

Fall Time Typ

35 ns

Genişlik

4.7mm

Seri

QFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

900V

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

25 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

10.16mm

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

9.19mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Threshold Voltage

5V

Vgs Max

±30V

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Ambalaj

Tube

Current Continuous Drain Id25

4A Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Rise Time

50ns