FQPF3N80C

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

9.19mm

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Uzunluk

10.16mm

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

15 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Breakdown Voltage

800V

Seri

QFET®

Genişlik

4.7mm

Fall Time Typ

32 ns

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Akım Değeri

3A

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2003

Element Configuration

Single

Drain Currentmax Abs Id

3A

Continuous Drain Current Id

3A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Rds On Max Id Vgs

4.8 Ω @ 1.5A, 10V

Voltage Rated Dc

800V

Power Dissipation Max

39W Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

705pF @ 25V

Gate Charge Qg Max Vgs

16.5nC @ 10V

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation

39W

Weight

2.27g

Case Connection

ISOLATED