FQPF30N06L

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

16.07mm

Drainsource On Resistancemax

0.045Ohm

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Seri

QFET®

Genişlik

4.9mm

Fall Time Typ

110 ns

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

22.5A

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2013

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Uzunluk

10.36mm

Montaj

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Turn On Delay Time

15 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Voltage Rated Dc

60V

Power Dissipation Max

38W Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

1040pF @ 25V

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 5V

Continuous Drain Current Id

22.5A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Rds On Max Id Vgs

35m Ω @ 11.3A, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

90A

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

60 ns

Ambalaj

Tube

Current Continuous Drain Id25

22.5A Tc

JESD-609 Kodu

e3