FQPF22N30

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Input Capacitance Ciss Max Vds

2200pF @ 25V

Voltage Rated Dc

300V

Power Dissipation Max

56W Tc

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 10V

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

12A

Transistor Element Material

SILICON

Pulsed Drain Currentmax Idm

48A

Rds On Max Id Vgs

160m Ω @ 6A, 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Current Continuous Drain Id25

12A Tc

Seri

QFET®

Ambalaj

Tube

Turn Off Delay Time

85 ns

Number Of Elements

1

Akım Değeri

12A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2013

Radyasyon Dayanımı

No

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

100 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

JESD-609 Kodu

e3

Vgs Max

±30V

Case Connection

ISOLATED

Rise Time

230ns

Weight

2.27g

Power Dissipation

56W

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3