FQPF17N40T

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Rds On Max Id Vgs

270m Ω @ 4.75A, 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Drainsource On Resistancemax

0.27Ohm

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

9.5A

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 10V

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Input Capacitance Ciss Max Vds

2300pF @ 25V

Voltage Rated Dc

400V

Power Dissipation Max

56W Tc

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

400V

Turn On Delay Time

40 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Rise Time

185ns

Weight

2.27g

Power Dissipation

56W

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Akım Değeri

16A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2013

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

105 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

JESD-609 Kodu

e3