FQPF10N20C

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2013

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Akım Değeri

9.5A

Fall Time Typ

72 ns

Parça Durumu

Active

Genişlik

4.7mm

Seri

QFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

200V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Turn On Delay Time

11 ns

Uzunluk

10.16mm

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

9.19mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Threshold Voltage

4V

Vgs Max

±30V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tube

Current Continuous Drain Id25

9.5A Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Rise Time

92ns