FQP9P25

Teknik Özellikler

Fet Type

P-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

16.3mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Akım Değeri

-9.4A

Yayın Yılı

2013

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

65 ns

Seri

QFET®

Genişlik

4.7mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Breakdown Voltage

-250V

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

20 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Uzunluk

10.67mm

Gate Charge Qg Max Vgs

38nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1180pF @ 25V

Voltage Rated Dc

-250V

Power Dissipation Max

120W Tc

Rds On Max Id Vgs

620m Ω @ 4.7A, 10V

Drain To Source Voltage Vdss

250V

Avalanche Energy Rating Eas

650 mJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

9.4A

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Vgs Max

±30V

Ambalaj

Tube