FQP85N06

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

112nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

4120pF @ 25V

Voltage Rated Dc

60V

Power Dissipation Max

160W Tc

Rds On Max Id Vgs

10m Ω @ 42.5A, 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

85A

Threshold Voltage

4V

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Vgs Max

±25V

Current Continuous Drain Id25

85A Tc

Ambalaj

Tube

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

175 ns

Terminal Sayısı

3

Direnç

10MOhm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

3

Rise Time

230ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Weight

4.535924g

Power Dissipation

160W

Transistor Application

SWITCHING

Fet Type

N-Channel

Nominal Vgs

4 V

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

9.4mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Akım

85A

Akım Değeri

85A