FQP3N80C

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

800V

Dual Supply Voltage

800V

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

15 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

10.1mm

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2003

Element Configuration

Single

Akım Değeri

3A

Jedec95 Code

TO-220AB

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

32 ns

Contact Plating

Tin

Genişlik

4.7mm

Seri

QFET®

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

9.4mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Nominal Vgs

5 V

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-220-3

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Direnç

4.8Ohm

Pin Sayısı

3

Rise Time

43.5ns

Power Dissipation

107W

Transistor Application

SWITCHING

Weight

1.8g

Threshold Voltage

5V

Vgs Max

±30V