FQP2N80

Teknik Özellikler

Yükseklik

9.4mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-220-3

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fet Type

N-Channel

Uzunluk

10.1mm

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Turn On Delay Time

12 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj

Through Hole

Drain To Source Breakdown Voltage

800V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Genişlik

4.7mm

Seri

QFET®

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

28 ns

Element Configuration

Single

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2000

Akım Değeri

2.4A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Continuous Drain Current Id

2.4A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rds On Max Id Vgs

6.3 Ω @ 1.2A, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

9.6A

Power Dissipation Max

85W Tc

Voltage Rated Dc

800V

Input Capacitance Ciss Max Vds

550pF @ 25V

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Weight

1.8g

Power Dissipation

85W

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

30ns

Pin Sayısı

3