FQD4P40TM

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Rise Time

55ns

Fet Type

P-Channel

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

2.5W Ta 50W Tc

Montaj

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

37 ns

Terminal Formu

GULL WING

Rds On Max Id Vgs

3.1 Ω @ 1.35A, 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Transistor Application

SWITCHING

Voltage Rated Dc

-400V

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Turn On Delay Time

13 ns

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gate Charge Qg Max Vgs

23nC @ 10V

Continuous Drain Current Id

2.7A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Breakdown Voltage

-400V

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Power Dissipation

2.5W

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Seri

QFET®

Akım Değeri

-2.7A