FQB1P50TM

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Element Configuration

Single

Genişlik

10.67mm

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

25ns

Fet Type

P-Channel

Uzunluk

9.65mm

Yükseklik

4.83mm

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

3.13W Ta 63W Tc

Montaj

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Pulsed Drain Currentmax Idm

6A

Fall Time Typ

30 ns

Terminal Formu

GULL WING

Rds On Max Id Vgs

10.5 Ω @ 750mA, 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Transistor Application

SWITCHING

Voltage Rated Dc

-500V

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Turn On Delay Time

9 ns

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Continuous Drain Current Id

1.5A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2017