FQA90N08

Teknik Özellikler

Turn Off Delay Time

100 ns

Rds On Max Id Vgs

16m Ω @ 45A, 10V

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Fall Time Typ

160 ns

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

90A Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Input Capacitance Ciss Max Vds

3250pF @ 25V

Direnç

16MOhm

Turn On Delay Time

30 ns

Voltage Rated Dc

80V

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tube

Element Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

90A

Gate Charge Qg Max Vgs

110nC @ 10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Montaj Tipi

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Vgs Max

±25V

Weight

6.401g

Akım Değeri

90A

Seri

QFET®

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Drain To Source Breakdown Voltage

80V