FQA40N25

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

800 mJ

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Turn Off Delay Time

120 ns

Contact Plating

Tin

Radyasyon Dayanımı

No

Drainsource On Resistancemax

0.07Ohm

Input Capacitance Ciss Max Vds

4000pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

40A Tc

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tube

Continuous Drain Current Id

40A

Gate Charge Qg Max Vgs

110nC @ 10V

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

Reach Svhc

No SVHC

Vgs Max

±30V

Weight

6.401g

Akım Değeri

40A

Seri

QFET®

Montaj Tipi

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation

280W

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Drain To Source Breakdown Voltage

250V

Yayın Yılı

2013

Rds On Max Id Vgs

70m Ω @ 20A, 10V

Fall Time Typ

165 ns

Pin Sayısı

3

Turn On Delay Time

70 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Threshold Voltage

5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

3

Voltage Rated Dc

250V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks