FQA27N25

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

110m Ω @ 13.5A, 10V

Turn Off Delay Time

80 ns

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Avalanche Energy Rating Eas

600 mJ

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

120 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

27A Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn On Delay Time

32 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2450pF @ 25V

Transistor Application

SWITCHING

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

250V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

Continuous Drain Current Id

27A

Gate Charge Qg Max Vgs

65nC @ 10V

Ambalaj

Tube

Element Configuration

Single

Montaj Tipi

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Through Hole

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Vgs Max

±30V

Weight

6.401g

Akım Değeri

27A

Seri

QFET®

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Breakdown Voltage

250V

Yayın Yılı

2013