FQA19N60

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Gerilim

600V

Ambalaj

Tube

Gate Charge Qg Max Vgs

90nC @ 10V

Continuous Drain Current Id

18.5A

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

Reach Svhc

No SVHC

Akım Değeri

18.5A

Seri

QFET®

Vgs Max

±30V

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation

300W

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Yayın Yılı

2000

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Avalanche Energy Rating Eas

1150 mJ

Turn Off Delay Time

150 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Input Capacitance Ciss Max Vds

3600pF @ 25V

Current Continuous Drain Id25

18.5A Tc

Akım

16A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Genişlik

5mm

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Montaj

Through Hole

Power Dissipation Max

300W Tc

Kurşunsuz

Lead Free

Uzunluk

15.8mm

Yükseklik

18.9mm

Fet Type

N-Channel