FQA11N90C-F109

Teknik Özellikler

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)

Montaj

Through Hole

Power Dissipation Max

300W Tc

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

18.9mm

Uzunluk

15.8mm

Fet Type

N-Channel

Rise Time

130ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Element Configuration

Single

Genişlik

5mm

Turn On Delay Time

60 ns

Direnç

1.1Ohm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Threshold Voltage

5V

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Rds On Max Id Vgs

1.1 Ω @ 5.5A, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

44A

Fall Time Typ

85 ns

Pin Sayısı

3

Reach Svhc

No SVHC

Seri

QFET®

Weight

6.401g

Vgs Max

±30V

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation

300W

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Yayın Yılı

2014

Drain To Source Breakdown Voltage

900V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Element Material

SILICON