Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Drain To Source Breakdown Voltage
- -20V
- Yayın Yılı
- 2006
- Akım Değeri
- -4.6A
- Fall Time Typ
- 10 ns
- Fet Type
- P-Channel
- Rise Time
- 10ns
- Power Dissipation
- 1.7W
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 11nC @ 4.5V
- Continuous Drain Current Id
- 4.6A
- Gate To Source Voltage Vgs
- 12V
- Drain To Source Voltage Vdss
- 20V
- Kılıf / Paket
- 9-VFBGA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Obsolete
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 2.5V 4.5V
- Montaj
- Surface Mount
- Number Of Elements
- 1
- Voltage Rated Dc
- -20V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Turn Off Delay Time
- 22 ns
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Pin Sayısı
- 9
- Current Continuous Drain Id25
- 4.6A Ta
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 754pF @ 10V
- Vgsth Max Id
- 1.5V @ 250μA
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Seri
- PowerTrench®
- Rds On Max Id Vgs
- 46m Ω @ 4.6A, 4.5V
- Vgs Max
- ±12V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Element Configuration
- Single
- Power Dissipation Max
- 1.7W Ta
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors