FDT86102LZ

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

2.2W Ta

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.8mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

1490pF @ 50V

Threshold Voltage

1.4V

Rds On Max Id Vgs

28m Ω @ 6.6A, 10V

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Number Of Channels

1

Terminal Formu

GULL WING

Weight

250.2mg

Kurşunsuz

Lead Free

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

1.9ns

Power Dissipation

1W

Max Junction Temperature Tj

150°C

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

4

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2006

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Turn Off Delay Time

19 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

25nC @ 10V

Drainsource On Resistancemax

0.028Ohm

Seri

PowerTrench®

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

2.2 ns

Uzunluk

3.7mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)