FDT458P

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Max Junction Temperature Tj

150°C

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

12.5ns

Power Dissipation

3W

Terminal Formu

GULL WING

Weight

188mg

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Channels

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Contact Plating

Tin

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Threshold Voltage

-1.8V

Rds On Max Id Vgs

130m Ω @ 3.4A, 10V

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.8mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

205pF @ 15V

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Akım Değeri

-3.4A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

3W Ta

Transistor Application

SWITCHING

Case Connection

DRAIN

Terminal Sayısı

4

Current Continuous Drain Id25

3.4A Ta

Parça Durumu

Active

Fet Type

P-Channel

Continuous Drain Current Id

3.4A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

3.56mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)

JESD-609 Kodu

e3