FDT3N40TF

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

2W Tc

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Contact Plating

Tin

Input Capacitance Ciss Max Vds

225pF @ 25V

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.6mm

Rds On Max Id Vgs

3.4 Ω @ 1A, 10V

Threshold Voltage

5V

Terminal Formu

GULL WING

Weight

188mg

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±30V

Pin Sayısı

3

Rise Time

30ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

2W

Drain Currentmax Abs Id

2A

Turn Off Delay Time

10 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

6nC @ 10V

Number Of Elements

1

Avalanche Energy Rating Eas

46 mJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2009

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Fall Time Typ

25 ns

Uzunluk

6.5mm

Drain To Source Breakdown Voltage

400V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

UniFET™

Fabrika Tedarik Süresi

24 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Terminal Pozisyonu

DUAL