FDS6675BZ

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.5mm

Current Continuous Drain Id25

11A Ta

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Direnç

21.8MOhm

Threshold Voltage

-2V

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2001

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

4mm

Weight

130mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Nominal Vgs

-2 V

JESD-609 Kodu

e4

Turn Off Delay Time

120 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2470pF @ 15V

Terminal

SMD/SMT

Fet Type

P-Channel

Continuous Drain Current Id

11A

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Fall Time Typ

60 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Rise Time

7.8ns

Terminal Pozisyonu

DUAL

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Uzunluk

5mm

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

8

Contact Plating

Tin

Gate Charge Qg Max Vgs

62nC @ 10V