FDS6576

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2006

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Threshold Voltage

-830mV

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

4mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

11A Ta

Yükseklik

1.5mm

Direnç

14MOhm

Power Dissipation Max

2.5W Ta

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

11A

Fall Time Typ

79 ns

Gate To Source Voltage Vgs

12V

JESD-609 Kodu

e4

Input Capacitance Ciss Max Vds

4044pF @ 10V

Turn Off Delay Time

124 ns

Weight

130mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Nominal Vgs

-830 mV

Akım Değeri

-11A

Fet Type

P-Channel

Terminal

SMD/SMT

Terminal Sayısı

8

Contact Plating

Tin

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Turn On Delay Time

18 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 4.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Reach Svhc

No SVHC

Rise Time

17ns