FDP5N50NZ

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tube

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2013

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

1.5 Ω @ 2.25A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation

78W

Continuous Drain Current Id

4.5A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Fet Type

N-Channel

Kılıf / Paket

TO-220-3

Parça Durumu

Active

Turn On Delay Time

12 ns

Current Continuous Drain Id25

4.5A Tc

Weight

1.8g

Rise Time

22ns

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Qualification Status

Not Qualified

Fall Time Typ

21 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Turn Off Delay Time

28 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Kurşunsuz Kodu

yes

Jedec95 Code

TO-220AB

Seri

UniFET-II™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Uzunluk

10.67mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Vgs Max

±25V

Terminal Sayısı

3