FDP050AN06A0

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Kılıf / Paket

TO-220-3

Fet Type

N-Channel

Akım Değeri

80A

Turn On Delay Time

16 ns

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Rise Time

160ns

Current Continuous Drain Id25

18A Ta 80A Tc

Weight

1.8g

Qualification Status

Not Qualified

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

6V 10V

Fall Time Typ

29 ns

Yayın Yılı

2013

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Rds On Max Id Vgs

5m Ω @ 80A, 10V

Threshold Voltage

4V

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation

245W

Avalanche Energy Rating Eas

470 mJ

Continuous Drain Current Id

80A

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

10.67mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Vgs Max

±20V

Yükseklik

20.4mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

3900pF @ 25V

Voltage Rated Dc

60V

Genişlik

4.83mm