FDMC2523P

Teknik Özellikler

Case Connection

DRAIN

Radyasyon Dayanımı

No

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

Fall Time Typ

13 ns

Terminal Sayısı

5

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±30V

Rds On Max Id Vgs

1.5 Ω @ 1.5A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Continuous Drain Id25

3A Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

42W Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Continuous Drain Current Id

3A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Jesd30 Code

S-PDSO-F5

Threshold Voltage

3.8V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Weight

210mg

Terminal Formu

FLAT

Direnç

1.5Ohm

Contact Plating

Tin

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Drain Currentmax Abs Id

3A

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Turn On Delay Time

15 ns

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

8

Akım Değeri

-3A

JESD-609 Kodu

e4

Genişlik

3mm

Element Configuration

Single

Seri

QFET®

Yayın Yılı

2006

Number Of Channels

1