FDG316P

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2000

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Threshold Voltage

-1.6V

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

1.25mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

1.6A Ta

Yükseklik

1mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Direnç

190MOhm

Power Dissipation Max

750mW Ta

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

1.6A

Fall Time Typ

9 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

14 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

165pF @ 15V

Parça Durumu

Active

Weight

28mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Akım Değeri

1.6A

Fet Type

P-Channel

Terminal Sayısı

6

Contact Plating

Tin

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Turn On Delay Time

8 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

5nC @ 10V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

9ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Uzunluk

2mm