FDD6N50TM

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

2

Gate Charge Qg Max Vgs

16.6nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Temel Parça No

FDD6N50

Turn On Delay Time

6 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

Rise Time

55ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

6.73mm

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Rds On Max Id Vgs

900m Ω @ 3A, 10V

Power Dissipation

89W

Vgs Max

±30V

Seri

UniFET™

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2016

Avalanche Energy Rating Eas

270 mJ

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

24A

Terminal Formu

GULL WING

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

6.22mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

6A Tc

Yükseklik

2.39mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

89W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2