FDD5N50NZFTM

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

2

Yayın Yılı

2004

Montaj Tipi

Surface Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

12nC @ 10V

Turn On Delay Time

12 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

6.22mm

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Current Continuous Drain Id25

3.7A Tc

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)

Yükseklik

2.39mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

19ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Power Dissipation Max

62.5W Tc

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Uzunluk

6.73mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

3.7A

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Montaj

Surface Mount

Fall Time Typ

22 ns

Pin Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

1.75 Ω @ 1.85A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

260.37mg