FDD2670

Teknik Özellikler

Threshold Voltage

4V

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2016

Avalanche Energy Rating Eas

375 mJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

6.22mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Continuous Drain Id25

3.6A Ta

Yükseklik

2.39mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation Max

3.2W Ta 70W Tc

Continuous Drain Current Id

3.6A

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

25 ns

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

260.37mg

Nominal Vgs

4 V

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

1228pF @ 100V

Turn Off Delay Time

30 ns

Terminal

SMD/SMT

Case Connection

DRAIN

Akım Değeri

3.6A

Fet Type

N-Channel

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

2

Gate Charge Qg Max Vgs

43nC @ 10V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Turn On Delay Time

13 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)