FDB9403-F085

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Avalanche Energy Rating Eas

968 mJ

Yükseklik

4.83mm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fall Time Typ

46 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

19.5ns

Gate Charge Qg Max Vgs

213nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

110A Tc

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

1.31247g

Uzunluk

10.67mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

12700pF @ 25V

Turn On Delay Time

16 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Continuous Drain Current Id

110A

Case Connection

DRAIN

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

61 ns

Number Of Elements

1

Rds On Max Id Vgs

1.2m Ω @ 80A, 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

333W