FDB28N30TM

Teknik Özellikler

Yükseklik

4.83mm

Avalanche Energy Rating Eas

588 mJ

Element Configuration

Single

Threshold Voltage

5V

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Terminal Sayısı

2

Montaj

Surface Mount

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fall Time Typ

69 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Direnç

129mOhm

Rise Time

135ns

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2007

Qualification Status

Not Qualified

Reach Svhc

No SVHC

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

28A Tc

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Weight

1.31247g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

10.67mm

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Input Capacitance Ciss Max Vds

2250pF @ 25V

Turn On Delay Time

35 ns

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

28A

Case Connection

DRAIN

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Vgs Max

±30V

Turn Off Delay Time

79 ns