FDB060AN08A0

Teknik Özellikler

Yükseklik

4.83mm

Avalanche Energy Rating Eas

350 mJ

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

75V

Terminal Sayısı

2

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Fall Time Typ

38 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

6V 10V

Parça Durumu

Active

Rise Time

79ns

Direnç

6MOhm

Montaj Tipi

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Current Continuous Drain Id25

16A Ta 80A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

95nC @ 10V

Akım Değeri

80A

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.67mm

Weight

1.31247g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn On Delay Time

19 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

5150pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Case Connection

DRAIN

Continuous Drain Current Id

80A

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Vgs Max

±20V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Rds On Max Id Vgs

6m Ω @ 80A, 10V

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

37 ns

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free