FDA38N30

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

2600pF @ 25V

Turn On Delay Time

53 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

38A

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Vgs Max

±30V

Turn Off Delay Time

118 ns

Number Of Elements

1

Rds On Max Id Vgs

85m Ω @ 19A, 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

312W

Power Dissipation Max

312W Tc

Seri

UniFET™

Drain To Source Breakdown Voltage

300V

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tube

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

6.35mm

Element Configuration

Single

Threshold Voltage

5V

Yükseklik

6.35mm

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Montaj

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fall Time Typ

54 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Direnç

85MOhm

Rise Time

110ns

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2013