FCP110N65F

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3

Vgsth Max Id

5V @ 3.5mA

Turn On Delay Time

31 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj

Through Hole

Pin Sayısı

3

Rise Time

21ns

Uzunluk

10.67mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Weight

1.8g

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jedec95 Code

TO-220AB

Vgs Max

±20V

Fall Time Typ

5.7 ns

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Genişlik

4.7mm

Current Continuous Drain Id25

35A Tc

Ambalaj

Tube

Seri

FRFET®, SuperFET® II

Number Of Elements

1

Number Of Channels

1

Turn Off Delay Time

89 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Rds On Max Id Vgs

110m Ω @ 17.5A, 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yükseklik

16.3mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Avalanche Energy Rating Eas

809 mJ

Kurşunsuz Kodu

yes