FCH041N60E

Teknik Özellikler

Power Dissipation

592W

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Seri

SuperFET® II

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pin Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Weight

6.39g

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Power Dissipation Max

592W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Input Capacitance Ciss Max Vds

13700pF @ 100V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tube

Yayın Yılı

2013

Vgsth Max Id

3.5V @ 250μA

Rds On Max Id Vgs

41m Ω @ 39A, 10V

Vgs Max

±20V

Fall Time Typ

85 ns

Kılıf / Paket

TO-247-3

Genişlik

4.82mm

Turn Off Delay Time

320 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Turn On Delay Time

50 ns

Fet Type

N-Channel

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

20.82mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Montaj

Through Hole

Uzunluk

15.87mm