FCB20N60FTM

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

9.65mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2008

Avalanche Energy Rating Eas

690 mJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

60A

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

208W Tc

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Direnç

190mOhm

Current Continuous Drain Id25

20A Tc

Yükseklik

4.83mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fall Time Typ

65 ns

Continuous Drain Current Id

20A

ECCN Kodu

EAR99

Case Connection

DRAIN

Akım Değeri

20A

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

1.31247g

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

230 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

3080pF @ 25V

Gate Charge Qg Max Vgs

98nC @ 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Turn On Delay Time

62 ns

Temel Parça No

FCB20N60

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

2

Contact Plating

Tin

Voltage Rated Dc

600V