FCB11N60TM

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

1490pF @ 25V

Turn Off Delay Time

119 ns

JESD-609 Kodu

e3

Nominal Vgs

5 V

Weight

1.31247g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Akım Değeri

11A

Case Connection

DRAIN

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

11A

Fall Time Typ

56 ns

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

11A Tc

Yükseklik

4.83mm

Direnç

380MOhm

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Power Dissipation Max

125W Tc

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2005

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

5V

Genişlik

9.65mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Rds On Max Id Vgs

380m Ω @ 5.5A, 10V

Vgs Max

±30V

Seri

SuperFET™

Power Dissipation

125W

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pin Sayısı

3