FCA20N60F

Teknik Özellikler

Uzunluk

16.2mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Rise Time

140ns

Gate Charge Qg Max Vgs

98nC @ 10V

Montaj Tipi

Through Hole

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Turn On Delay Time

62 ns

Temel Parça No

FCA20N60

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation

208W

Vgs Max

±30V

Seri

SuperFET™

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Rds On Max Id Vgs

190m Ω @ 10A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

Montaj

Through Hole

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation Max

208W Tc

Current Continuous Drain Id25

20A Tc

Yükseklik

20.1mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ambalaj

Tube

Genişlik

5mm

Transistor Element Material

SILICON

Avalanche Energy Rating Eas

690 mJ

Yayın Yılı

2013

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

60A

Transistor Application

SWITCHING