BVSS84LT1G

Teknik Özellikler

Weight

1.437803g

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Channels

1

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2004

Fet Type

P-Channel

Rds On Max Id Vgs

10 Ω @ 100mA, 5V

Input Capacitance Ciss Max Vds

36pF @ 5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

-50V

Halogen Free

Halogen Free

Continuous Drain Current Id

130mA

Drain To Source Voltage Vdss

50V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Continuous Drain Id25

130mA Ta

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

9.7ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

Turn Off Delay Time

12 ns

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

Fall Time Typ

1.7 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

2.2nC @ 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation

225mW

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Turn On Delay Time

3.6 ns