BVSS123LT1G

Teknik Özellikler

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

225mW Ta

Turn Off Delay Time

40 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

6Ohm

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

170mA Ta

Vgs Max

±20V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Turn On Delay Time

20 ns

Terminal Formu

GULL WING

Halogen Free

Halogen Free

Yüzey Montaj

YES

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Continuous Drain Current Id

170mA

Rds On Max Id Vgs

6 Ω @ 100mA, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

20pF @ 25V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vgsth Max Id

2.8V @ 1mA

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2001

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

225mW

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks