Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 200mW
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 30V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Temel Parça No
- 2SK3666
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- JESD-609 Kodu
- e6
- Yayın Yılı
- 2011
- Voltage Cutoff Vgs Off Id
- 180mV @ 1μA
- Pin Sayısı
- 3
- Yükseklik
- 1.1mm
- Terminal
- SMD/SMT
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Weight
- 7.994566mg
- Continuous Drain Current Id
- 10mA
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 4pF @ 10V
- Breakdown Voltage V
- 30V
- Drain To Source Resistance
- 200Ohm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Element Configuration
- Single
- Uzunluk
- 2.9mm
- Resistance Rdson
- 200Ohm
- Current Drain Idss Vds Vgs0
- 1.2mA @ 10V
- Pin Sayısı
- 3
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Kaplaması
- Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Fet Type
- N-Channel
- Genişlik
- 1.5mm
- Gate To Source Voltage Vgs
- -30V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Current Drain Id Max
- 10mA
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors