2N7002WT1G

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

280mW Tj

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

3

Contact Plating

Tin

Nominal Vgs

1 V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rds On Max Id Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Halogen Free

Halogen Free

Vgs Max

±20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Uzunluk

2.2mm

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

12.2 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

1

Yükseklik

900μm

Rise Time

9ns

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Threshold Voltage

1V

Gate Charge Qg Max Vgs

0.7nC @ 4.5V

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Reach Svhc

No SVHC

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Continuous Drain Current Id

340mA

Fall Time Typ

9 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

24.5pF @ 20V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Terminal Sayısı

3